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氣缸式晶圓貼片裝置 TLTM600MM Terra Links Technology
日本Terra Links製 超寬加壓5～600kgf × 雙軸同時獨立加壓 × SiC/GaN研究專用應
商品編號：Air Cylinder Type Wafer Mounter
商品簡述：
達 5～600 kgf，業界最寬幅的壓力對應，專為 SiC、GaN 等高硬度晶圓的蠟貼
製程而生。搭載 φ210mm × 2軸 獨立研磨頭，可同時以不同壓力對兩片晶圓作
業，大幅提升研發實驗效率。加熱溫度範圍 50～230℃，對應高熔點特殊蠟材製
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產品諮詢 
您是否有這些困擾？
・SiC、GaN等硬質晶圓需要大壓力貼片，現有設備加壓上限不足
・不同材料需要不同貼片壓力，每次換料都要重新設定
・想同時對兩片晶圓進行不同條件的貼片實驗，設備卻只有單軸
・加熱溫度範圍太窄，無法對應高熔點蠟材的特殊製程需求
核心特色
1)業界最寬加壓範圍：5～600 kgf
從輕壓薄膜到 SiC等高硬度晶圓的大壓力貼片，單台裝置一次涵蓋。研究用途所需的各種壓力條件皆可彈性對應。
2)雙軸同時、各自設定不同壓力
配備 2軸（φ210mm×2）獨立加壓頭，可同時以不同壓力對兩片晶圓進行貼片。並行比較兩種貼片條件，大幅縮短研發條件摸索時間。
3)50～230℃ 寬溫加熱控制
內建加熱板可設定 50℃至230℃ 的高溫範圍，對應一般蠟材到高熔點特殊蠟材，適合新材料製程開發的各種實驗情境。
4)鋁框架＋不鏽鋼面板、耐用易維護
高剛性鋁框架搭配不鏽鋼面板，附腳輪及調整腳。可在實驗室內靈活移動定位，維護簡便，長期穩定使用。
作業流程
1.設定加熱溫度
依蠟材熔點設定50～230℃2.晶圓＋基板定位
置於加熱板，蠟材熔融3.氣缸加壓
設定壓力5～600 kgf加壓4.冷卻固化
自然冷卻、蠟材固定5.取出送研磨
移至CMP裝置進行研磨
適用場景
SiC/GaN
硬質晶圓的研磨前處理
研究所・大學
新材料製程開發
雙條件同步比較
實驗效率倍增
高熔點蠟材
特殊製程對應
量產前製程
條件最適化
少量多樣
試產・小批量生產
產品規格
左右滑動看表格
氣缸式晶圓貼片裝置 TLTM600MM |
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| 對應支持基板尺寸 | ～φ220mm |
| 對應晶圓尺寸 | ～φ200mm |
| 研磨頭直徑・軸數 | φ210mm × 2軸 |
| 加熱溫度範圍 | 50℃ ～ 230℃ |
| 加壓範圍 | 5 kgf ～ 600 kgf |
| 機體材質 | 鋁框架＋不鏽鋼面板 |
| 底部構造 | 附腳輪＋調整腳 |
| 設備尺寸（W×D×H） | 890mm × 540mm × 1420mm |
| 設備重量 | 約 360 kg |
| 電源 | AC200V 三相 12.5KVA |
| 壓縮空氣 | 0.5 MPa |
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