服務諮詢
NIDEC BOND MEISTER 常溫晶圓接合裝置
無熱應力接合 × 高精度對位 × 研發到量產全對應
商品簡述：
產品諮詢 
什麼是常溫接合？接合製程的全新解答
傳統晶圓接合製程需要高溫加熱，但熱應力與熱變形往往造成良率下降、元件特性劣化。
表面活性化接合（SAB：Surface Activated Bonding） 技術在高真空環境中，以離子束照射晶圓表面，去除氧化膜與吸附層，使「懸鍵（Dangling Bond）」露出，接著僅需將兩片晶圓相互接觸，瞬間即可產生強固的接合力。
這項起源於日本的技術，已迅速擴展至 MEMS、半導體先進封裝、化合物半導體等多元應用領域，成為次世代元件製造的關鍵製程技術。
您是否面臨這些製程瓶頸？
1.高溫接合造成熱變形，良率始終無法提升
加熱・冷卻循環使晶圓產生熱應力，導致對位偏移與元件特性劣化。常溫接合從根本消除熱應力，大幅改善良率。
2.不同材料的接合難度高，設計彈性受限
矽、石英、藍寶石、GaN、GaAs、金屬等異種材料的接合，在傳統高溫製程中幾乎無法實現。BOND MEISTER 支援廣泛的材料組合，解放元件設計自由度。
3.導入量產設備風險高，研發到量產的過渡困難
BOND MEISTER 提供從研發試作用半自動機型到量產用全自動機型的完整陣容，可隨業務成長無縫升級。
核心特色
① 無熱應力・高強度接合
・母材等級的接合強度： 常溫下即可達到與母材相同的接合強度，無需擔心熱應力導致的強度下降。・消除熱變形： 完全排除加熱・冷卻製程，對準精度得以完整保持，元件內部應力降至最低。
・省略加熱冷卻時間： 大幅縮短製程週期，實現高生產效率（High Throughput）。
② 廣泛材料對應・異種材料接合
・矽系： Si/Si、SiO₂/SiO₂、石英玻璃、藍寶石/Si 等・化合物半導體： GaN/Si、GaAs/GaAs、SiC/Si 等
・金屬系： Au/Au、Cu/Cu、TSV 貫通電極接合等
・異種材料： LiNbO₃/Si（高頻元件・光學元件用途）等熱膨脹係數差異大的材料亦可對應
③ 研發・試作到量產的完整機型陣容
MWB-04/06-R（半自動・標準型）
適合研究・試作及中小量產。
以1組（1次接合）為單位進行處理，半自動操作實現高效率生產。
搭載搬送系統與對位機構，透過PC操作介面，導入當日即可立即投入使用。
支援100mm／150mm晶圓。
MWB-04/06/08-AX（全自動・量産型）
以卡匣對卡匣（Cassette to Cassette）方式連續自動接合10組晶圓。
強大的配方（Recipe）管理功能可針對每組晶圓設定不同零件與製程條件，多品種少量生產亦可全自動對應。
支援100mm／150mm／200mm晶圓。
④ 豐富的應用領域
・晶圓級封裝（Wafer Level Packaging）： 特別適用於 MEMS、水晶元件，實現無熱變形的高品質封裝，提升良率並降低成本。・功能性晶圓製造： 將不同材料的裸晶圓接合，製造各種功能性晶圓。
・直接接合應用： 無需樹脂或合金等中間材料，直接接合改善元件特性，同時削減中間材料成本。
・晶圓積層（3D Stacking）： 將具備 TSV（矽穿孔）的晶圓多層接合，製造 3D 集積化元件，高度可靠性與極低內部應力。
產品規格
左右滑動看表格| 項目 | MWB-04/06-R（半自動） | MWB-04/06/08-AX（全自動） | 單位 |
| 處理單位 | 1 接合 | 10 接合（連續） | 組 |
| 晶圓尺寸 | 100 mm / 150 mm | 100 mm / 150 mm / 200 mm | mm |
| 運轉形態 | 半自動 | 全自動 / 半自動 | — |
| 貼合精度 | ±2 µm（實測值） | ±2 µm（實測值） | µm |
| 表面活性化方式 | 離子槍（Ion Gun） | 離子槍 / FAB 槍（選配） | — |
| 壓接機構最大加壓力 | 20 kN | 100 kN | kN |
| 腔體真空度 | < 1.0×10⁻³ Pa | < 1.0×10⁻³ Pa | Pa |
| 對位方式 | 紅外線透射・反射方式 | 紅外線透射・反射方式 | — |
※ 規格如有變更，恕不另行通知，詳細內容請以報價單為準。
接合材料對應一覽
左右滑動看表格| 材料分類 | 接合組合 | 主要應用 |
| 矽系 | Si/Si、SiO₂/SiO₂、石英/石英 | MEMS封裝、SOI晶圓 |
| 氧化物系 | 石英/Si、藍寶石/Si、LiNbO₃/Si | 光學元件、高頻元件 |
| 化合物半導體 | GaN/Si、GaAs/GaAs、SiC/Si | LED、功率元件、RF元件 |
| 金屬系 | Au/Au、Cu/Cu、TSV 貫通電極 | 先進封裝、3D積層 |
